更新时间：2023-07-31 05:27
Rambus DRAM是由Intel与Rambus共同定制的一种内存规范。
Rambus DRAM原本是Intel强力推广的未来内存发展方向，其技术引入了RISC（精简指令集），依靠高时钟频率（规格包括300MHz、350MHz和400MHz）来简化每个时钟周期的数据量。因此其数据通道接口只有16bit（由两条8bit的数据通道组成），远低于SDRAM的64bit，由于Rambus DRAM也是采用类似于DDR的双速率传输结构，同时利用时钟脉冲的上升与下降沿进行数据传输，因此在300MHz下的数据传输量可以达到300MHz×16bit×2/8=1.2GB/s，400MHz时可达到1.6GB/s，双通道PC800MHz RDRAM的数据传输量更是达到了3.2GB/s。相对于133MHz下的SDRAM的1.05GB/s，确实很有吸引力。 Rambus DRAM的认证机制也较为严格，其认证测试包括DirectRDRAM元件、RIMM模块、RIMM连接器和DirectRDRAM时钟发生器。以确保与Intel的系统保持百分百的兼容。
该内存规范是Intel与Rambus共同定制，旨在创造市面上最高速的内存产品。其内部RISC架构、高频率和高带宽的优势一度被认为是内存市场的新宠儿，Intel也对自己的Rambus DRAM充满信心，并寄希望于Rambus DRAM配合Pentium 4处理器，建立属于自己的王朝。但是Rambus最终并没有得到市场的认可，究其原因，就是因为Rambus内存高昂的售价以及“巨大”的发热量。加上Rambus DRAM必须安装两条才能够使用，这就大大提高了这种内存的使用门槛。最终，Rambus DRAM没有经受住市场的考验，被价格更低的DDRSDRAM踩在了脚下。